FET和MOSFET

FET与MOSFET

晶体管是一种半导体器件，是使我们所有现代技术成为可能的器件。它用于控制电流，甚至可以根据输入电压或电流放大电流。有两种主要类型的晶体管，BJT和FET。在每个主要类别下，有许多子类型。这是FET和MOSFET最显着的差异。 FET代表场效应晶体管，是一系列非常不同的晶体管，它们共同依赖于栅极电压产生的电场，以控制漏极和源极之间的电流。许多类型的FET之一是金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET。金属氧化物半导体用作晶体管的栅极和衬底之间的绝缘层。

目前大多数MOSFET中的氧化物绝缘是二氧化硅。这可能看起来令人困惑，因为硅不是金属而是非金属。最初，实际使用的是金属，但由于其优越的特性，已被硅取代。二氧化硅基本上是一个电容器，每当电压施加到栅极时它就会保持电荷。然后，该电荷通过拉动带相反电荷的粒子或以相同电荷排斥粒子来产生场，并允许或限制漏极和源极之间的电流流动。

尽管可以在数字电路中使用大量晶体管，但目前首选的是MOSFET。 CMOS（互补金属氧化物半导体）基本上成对地使用p型和n型MOSFET以相互补充。在这种配置中，MOSFET仅在开关期间具有显着的功耗，而不是在其保持其状态时。这是非常期望的，特别是在现代计算设备中，其中功率和热限制被推到边缘。其他类型的FET不能复制这种能力，或者制造起来太昂贵。

随着公司不断进入更小的架构，MOSFET的发展也在不断发展。但是在设计上也像3D MOSFET那样显示出很多希望。 MOSFET是当今的首选晶体管，因为研究人员试图找到可以替代它的其他类型的晶体管。

摘要：

1.MOSFET是一种FET 2.MOSFET是数字电路的首选FET类型