NPN和PNP
双极结型晶体管，或更简单的BJT，是3端子电子半导体器件。它们基本上由掺杂材料制成，并且通常用于开关或放大应用。
实质上，每个双极晶体管中都有一对PN结二极管。该对被连接，形成夹层，将一种半导体置于相同的两种类型之间。因此，只能有两种类型的双极三明治，它们是PNP和NPN。
BJT是现行监管机构。原则上，通过主电流的量通过允许或限制它来调节，其通过并且根据来自基座的较小电流来处理。较小的电流称为“控制电流”，即“基极”。受控电流（主）可以是“收集器”到“发射器”，反之亦然。它实际上取决于BJT的类型，它是PNP或NPN。
如今，NPN双极晶体管是这两种类型中最常用的。其主要原因是NPN与半导体中的空穴迁移率相比具有更高的电子迁移率。因此，它允许更大量的电流，并且运行更快。此外，NPN更易于从硅构建。
对于NPN晶体管，如果发射极的电压低于基极中的电压，则电流将从集电极流向发射极。还有少量电流也会从基极流向发射极。流过晶体管的电流（从集电极到发射极）由基极电压控制。
NPN晶体管的“基极”或中间层是P半导体，其是轻掺杂的。它夹在两个N层之间，其中晶体管中的N型集电极是重掺杂的。利用PNP，当基极相对于发射极被拉低时，晶体管“导通”，或者换句话说，在集电极输出中放大以共发射极模式离开基极的小电流。
摘要：
NPN比PNP具有更高的电子迁移率。因此，NPN双极晶体管通常比PNP晶体管更受青睐。
2. NPN比PNP更容易创建NPN。
NPN和PNP的主要区别在于基数。一个是另一个的反面。
4.对于NPN，P-dope半导体是基础，而对于PNP，“基极”是N-dope半导体。
