JFET和MOSFET
两者都是电压控制的场效应晶体管（FET），主要用于放大弱信号，主要是无线信号。它们是UNIPOLAR设备，可以放大模拟和数字信号。场效应晶体管（FET）是一种使用电场效应改变器件的电学行为的晶体管。它们用于从RF技术到开关和功率控制到放大的电子电路中。它们使用电场来控制通道的电导率。 FET分为JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。两者主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似，但它们的组成略有不同。让我们详细比较两者。
什么是JFET？
JFET是最简单类型的场效应晶体管，其中电流可以从源极到漏极或从漏极到源极。与双极结型晶体管（BJT）不同，JFET使用施加到栅极端子的电压来控制流过漏极和源极端子之间的沟道的电流，这导致输出电流与输入电压成比例。栅极端子反向偏置。它是一种三端单极半导体器件，用于电子开关，电阻器和放大器。它预计输入和输出之间的高度隔离使其比双极结晶体管更稳定。与BJT不同，允许的电流量由JFET中的电压信号确定。
它通常分为两种基本配置：
- N沟道JFET - 流过漏极和源极之间沟道的电流是电子形式的负电流。它的电阻低于P沟道类型。
- P沟道JFET - 流过通道的电流以孔的形式呈正。它具有比N-Channel更高的电阻。
什么是MOSFET？
MOSFET是一种四端子半导体场效应晶体管，由硅的受控氧化制成，其中施加的电压决定了器件的导电性。 MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管。位于源极和漏极沟道之间的栅极通过薄金属氧化物层与沟道电绝缘。想法是控制源和漏通道之间的电压和电流。由于其高输入阻抗，MOSFET在集成电路中起着至关重要的作用。它们主要用于功率放大器和开关，并且作为功能元件在嵌入式系统设计中发挥着关键作用。
它们通常分为两种配置：
- 耗尽模式MOSFET - 当栅极 - 源极电压为零时，器件通常为“ON”。施加电压低于漏极 - 源极电压
- 增强模式MOSFET - 当栅极 - 源极电压为零时，器件通常为“OFF”。
JFET和MOSFET之间的区别
FET和MOSFET的基础知识
JFET和MOSFET都是压控晶体管，用于放大模拟和数字的弱信号。两者都是单极器件，但具有不同的成分。虽然JFET代表结型场效应晶体管，但MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。前者是三端子半导体器件，而后者是四端子半导体器件。
FET和MOSFET的工作模式
与双极结型晶体管（BJT）相比，两者都具有更小的跨导值。 JFET只能在耗尽模式下工作，而MOSFET可以在耗尽模式和增强模式下工作。
FET和MOSFET中的输入阻抗
JFET具有大约1010欧姆的高输入阻抗，这使得它们对输入电压信号敏感。由于金属氧化物绝缘体，MOSFET提供比JFET更高的输入阻抗，这使得它们在栅极端子处具有更高的电阻。
栅极漏电流
它指的是电子设备即使在关闭时也会逐渐丧失电能。虽然JFET允许栅极漏电流大约为10 ^ -9 A，但MOSFET的栅极漏电流大约为10 ^ -12 A.
FET和MOSFET的抗损伤性
MOSFET更容易受到静电放电的损害，因为附加的金属氧化物绝缘体会降低栅极的电容，使晶体管易受高压损坏。另一方面，JFET不易受ESD损坏，因为它们提供比MOSFET更高的输入电容。
FET和MOSFET的成本
JFET遵循简单，不太复杂的制造工艺，这使得它们比MOSFET更便宜，由于制造工艺更复杂，所以MOSFET价格昂贵。额外的金属氧化物层增加了总成本。
FET和MOSFET的应用
JFET非常适合低噪声应用，如电子开关，缓冲放大器等。另一方面，MOSFET主要用于高噪声应用，如开关和放大模拟或数字信号，此外它们还用于电机控制应用和嵌入式系统。
JFET与MOSFET：比较图表
FET与MOSFET的总结
JFET和MOSFET是电子电路中常用的两种最常用的场效应晶体管。 JFET和MOSFET都是电压控制的半导体器件，用于利用电场效应放大微弱信号。名称本身暗示了设备的属性。虽然它们具有与放大和转换相对应的共同属性，但它们具有相当大的差异。 JFET仅在耗尽模式下工作，而MOSFET在耗尽模式和增强模式下工作。 MOSFET由于其昂贵的制造工艺而用于VLSI电路，而不是主要用于小信号应用的较便宜的JFET。
