IGBT和MOSFET
双极晶体管是唯一真正的功率晶体管，直到20世纪70年代早期出现非常高效的MOSFET。自1947年底成立以来，BJT已经经历了其电气性能的重要改进，并且仍广泛用于电子电路。双极晶体管具有相对慢的关断特性，并且它们表现出负温度系数，这可能导致二次击穿。然而，MOSFET是电压控制而非电流控制的器件。它们具有正电阻温度系数，可以阻止热失控，因此不会发生二次击穿。然后，IGBT在20世纪80年代后期出现。 IGBT基本上是双极晶体管和MOSFET之间的交叉，也是像MOSFET一样的电压控制。本文重点介绍了比较这两种设备的一些关键点。
什么是MOSFET？
MOSFET是“金属氧化物半导体场效应晶体管”的缩写，是一种特殊类型的场效应晶体管，由于其复杂的结构和高输入阻抗，广泛应用于超大规模集成电路。它是一个四端半导体器件，可控制模拟和数字信号。栅极位于源极和漏极之间，并由一层薄薄的金属氧化物绝缘，防止电流在栅极和沟道之间流动。该技术现在用于各种半导体器件中以放大微弱信号。
什么是IGBT？
IGBT代表“绝缘栅双极晶体管”，是一种三端半导体器件，它结合了双极晶体管的载流能力和易于控制的MOSFET。它们是电力电子设备中相对较新的设备，通常用作电子开关，适用于中等到超高功率应用（如开关模式电源（SMPS））的各种应用。除了在n衬底下面增加p衬底之外，其结构几乎与MOSFET的结构相同。
IGBT和MOSFET之间的区别
IGBT代表绝缘栅双极晶体管，而MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。虽然两者都是在开关模式电源（SMPS）应用中效果最佳的电压控制半导体器件，但IGBT结合了双极晶体管的高电流处理能力和MOSFET的易控制性。 IGBT是电流的栅极，结合了BJT和MOSFET的优点，用于电源和电机控制电路。 MOSFET是一种特殊类型的场效应晶体管，其中施加的电压决定了器件的导电性。
IGBT本质上是一种MOSFET器件，控制双极结功率晶体管，两个晶体管集成在单片硅上，而MOSFET是最常见的绝缘栅FET，最常见的是由硅的受控氧化制成。 MOSFET通常通过将位于源极和漏极之间的称为栅极的电极上的电压电子地改变沟道的宽度来工作，并且通过薄的氧化硅层绝缘。 MOSFET可以以两种方式工作：耗尽模式和增强模式。
IGBT是一种电压控制双极器件，具有高输入阻抗和双极晶体管的大电流处理能力。与高电流应用中的电流控制器件相比，它们易于控制。由于栅极和沟道之间的隔离层，MOSFET几乎不需要输入电流来控制负载电流，这使得栅极端子的电阻更大。该层由氧化硅制成，这是所用的最佳绝缘体之一。除了小的漏电流外，它可以有效地阻止施加的电压。
MOSFET更容易受到静电放电（ESD）的影响，因为MOSFET中的MOS技术的高输入阻抗将不允许电荷以更可控的方式耗散。额外的氧化硅绝缘体降低了栅极的电容，这使其易受高电压尖峰的影响，不可避免地损坏内部元件。 MOSFET对ESD非常敏感。第三代IGBT结合了MOSFET的电压驱动特性和双极晶体管的低导通电阻能力，因此极其耐受过载和电压尖峰。
