BJT和FET
晶体管可以根据它们的结构分类，并且两种更常见的晶体管结构是BJT和FET。
BJT或双极结型晶体管是第一种商业化批量生产的产品。 BJT使用少数和多数载波进行传输，其三个终端具有相应的名称“基极，发射极和集电极。它基本上由两个P-N结构成 - 基极 - 集电极和基极 - 发射极结。称为基区的材料是薄的中间半导体，将这两个结分开。
双极结型晶体管广泛用于放大器件，因为集电极和发射极电流可通过基极处的小电流有效控制。它们就是这样命名的，因为被控制的电流经过两种类型的半导体材料“P和N.电流，基本上由空穴和电子流组成，在双极晶体管的不同部分。
BJT基本上起到电流调节器的作用。小电流调节较大的电流。但是，为了使它们适当地作为电流调节器工作，基极电流和集电极电流必须向正确的方向移动。
FET或场效应晶体管也控制两点之间的电流，但它使用与BJT不同的方法。顾名思义，FET的功能取决于电场的影响，以及特定类型半导体材料过程中电子的流动或运动。基于这一事实，FET有时被称为单极晶体管。
FET使用空穴（P沟道）或电子（N沟道）进行传导，它有三个端子 - 源极，漏极和栅极 - 在大多数情况下，主体连接到源极。在许多应用中，FET基本上是电压控制器件，因为其输出属性是由依赖于所施加电压的场确定的。
摘要：
1. BJT是电流控制器件，因为其输出是根据输入电流确定的，而FET被认为是电压控制器件，因为它取决于所施加电压的场效应。
2. BJT（双极结型晶体管）使用少数和多数载流子（空穴和电子），而FET（有时称为单极晶体管）使用空穴或电子进行传导。
3. BJT的三个端子被命名为基极，发射极和集电极，而FET则被命名为源极，漏极和栅极。
BJT是第一种商业化生产的类型。
